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EL-EDT-I電(diàn)子(zǐ)設計(jì)競賽創新實驗系★✔統
系統概述
電(diàn)子(zǐ)設計(jì)競賽創新實驗系統需支持8位的(de)805"Ω€→1(89s51) / C8051F021等單片機(jī)開(kā≈♣&i)發闆、16位的(de)MSP430系列 / AVR↑≈ ÷單片機(jī)系列、Cortex-M3/M4內(nèi)核的(de)32位群星∏☆±♦系列處理(lǐ)器(qì)、DSP 2000系列/5000系列 CPU闆以及SO↕™↓PC/CPLD/FPGA/EDA開(kāi)發闆,實現(xi∑≠>₽àn)多(duō)模塊應用(yòng)實驗。實訓系統應集成了(le)豐富的(de)教β×φγ學資源:涵蓋數(shù)字電(diàn)路(lù)實驗、模拟電(d<φiàn)路(lù)實驗、單片機(jī)實驗、EDA設計(jì)實驗等。整個(gè)實驗系統應↓≥₽采用(yòng)實驗箱+CPU闆結構構成,并且所有(yǒu)闆卡可(kě)以獨立↓↓供電(diàn),單獨使用(yòng),方便進行(xíng)二次開(kāi)®φ×發、課程設計(jì)、畢業(yè)設計(jì),參加電(dià≈↑§n)子(zǐ)競賽。
硬件(jiàn)資源技(jì)術(shù)指标
實驗底闆要(yào)求的(de)硬件(jiàn)資源
1. MCU接口信号有(yǒu):複位、外(wài)部中斷、SPI、I2C、異步串口、<γ®PWM、ADC、DAC、PCA、以及10個(gè)通(tōng)₽¶ε'用(yòng)IO。
2. EDA接口:接口信号由24個(gè)通(tōng)用(yòng)IO組成,∏→其中2個(gè)用(yòng)于分(fēn)配時(shí)鐘(zhōng)類信号。
3. 三極管單管放(fàng)大(dà)電(diàn)路(lù)
4. 場(chǎng)效應管放(fàng)大(dà)電(diàn)路(lù)∑♣
5. 線性電(diàn)源及DC/DC
6. 基本門(mén)電(diàn)路(lù)
7. 38譯碼器(qì)電(diàn)路(lù)
8. 計(jì)數(shù)器(qì)電(diàn)路(lù)"×÷€
9. 移位寄存器(qì)電(diàn)路(lù)
10. 看(kàn)門(mén)狗電(diàn)路(lù)
11. 單脈沖發生(shēng)器(qì)電(diàn)路(lù)
12. 12位串行(xíng)ADC電(diàn)路(lù)
13. 12位串行(xíng)DAC電(diàn)路(l★∞ù)
14. 直流調壓調速電(diàn)機(jī)電(diàn)路(lù)
15. 7279數(shù)碼管、鍵盤控制(zhì)電(diàn)路(lù)
16. IC卡電(diàn)路(lù)
17. RS232電(diàn)路(lù)
18. RS485電(diàn)路(lù)
19. 獨立LED數(shù)碼管電(diàn)路(lù)
20. 獨立鍵盤電(diàn)路(lù)
21. 繼電(diàn)器(qì)驅動電(diàn)路(lù)
22. 光(guāng)電(diàn)隔離(lí)驅動電(diàn)路(lù)×↕≠
23. DS18B20單線數(shù)字溫度傳感器(qì)電(diàn λ≤Ω)路(lù)
24. 12路(lù)低(dī)電(diàn)平點亮(liàng)的(de)發光(↕±≥↓guāng)二極管電(diàn)路(lù)
25. 12路(lù)高(gāo)(5V)/低(dī) (0V) 電(diàn$&)平輸出電(diàn)路(lù)
26. DDS低(dī)頻(pín)信号源參數(shù)要(yào)求∏'→:電(diàn)源:+5V/1A、-5V/1A;顯示:四位LED顯示≠≠;
27. 通(tōng)道(dào):單通(tōng)道(dào)輸出;輸出阻抗:1¶•00Ω、1.5pF;輸出波形:正弦、三角、方波;輸出頻(pín)率(F):Fmin ≈₹↕←= 0.1HZ,Fmax=1MHZ(正弦波),Fmax=1MHZ(三角波),Fmax=1MHZ(方♦ →☆波);輸出幅值(Vp-p):Vp-p_min=50mV;Vp-p_max=6 V;垂直分(fē©↓±₩n)辨率:10位(1024);失真:典型值 0.5%。
28. 實驗箱外(wài)型尺寸(mm):410 x 260 x 80,工(gōng)作(z≠↓βuò)電(diàn)壓: 220v ± 10%,50Hz ± 1H$•÷z。
支持開(kāi)發闆的(de)硬件(jiàn)參數(shù)
1、8位單片機(jī)CPU闆技(jì)術(shù)參數(shù→↑σ→):
EXP-C51(89S51):單片機(jī)KEILC51,串口,12M時(shí)鐘©¥(zhōng),複位開(kāi)關,數(shù)據通(tōng)信指示燈÷÷₩φ,5V電(diàn)源接口,單片機(jī)總線擴展插槽,支持Keil C環境,★$完全仿真P0、P1、P2口;
EXP-Atmega128:AVR-ATmega128單片機(jī)開(ε≠kāi)發闆,包括ATMEL公司的(de)ATMEGA12σ8 的(de)8位處理(lǐ)器(qì),時(shí)鐘(zhōn§±<g)11.0592MHZ,程序下(xià)載JTAG口,ISPφππ下(xià)載口,P1-4總線接口,5V轉3.3V電(diàn)源模塊,× $串口,5V闆卡供電(diàn)接口,電(diàn)源指示LED,"Ω複位鍵等;
EXP-C8051F021:由8位單片機(jī)C8051F021為(wèi)核∑∑心器(qì)件(jiàn),具有(yǒu)雙重時(shí)鐘¶×(zhōng)系統配置:
22.1184MHz外(wài)部晶振頻(pín)率;內(±∞λnèi)部振蕩器(qì)頻(pín)率具有(yǒu)(2/4/8/16)MHZ(可(kě)編程),±AD/DA接口,P1-4總線接口,JTAG接口,複位接口,3.3V和(hé)5V雙電(diàn)δ±源工(gōng)作(zuò)模式。
2、32位單片機(jī)(CORTEX-M3架構)CPU闆技(jì)術(shù)參數(shù✔):
EXP-LM3S615:ARM公司Cortex-M3架構,TI公±"司LM3S615處理(lǐ)器(qì),支持最大(dà)主頻(pín)為(wèi)5✔∏0 MHz的(de)ARM Cortex-M3內(nèi)核,>&λ↔32 KByte FLASH,8 KByte SRAM,LQFP-4☆↓8封裝。集成正交編碼器(qì)、ADC、帶死區(qū)PWM♥♣↑、模拟比較器(qì)、UART、SSI、通(tōng)用(yòng)定時(shí←£§®)器(qì),I2C、CCP等外(wài)設。主要(yào)用(yò★∑ng)于步進電(diàn)機(jī)的(de)控制(zhì)。
EXP-LM3S811:ARM公司Cortex-M3架構,TI公司LM3S811處理(lǐ)♦≠®器(qì)開(kāi)發闆,支持最大(dà)主頻(pín)為(wèi)50 MHz的(deβ<)ARM Cortex-M3內(nèi)核,64 KByte FLASH,16 K♠ Byte SRAM,LQFP-48封裝。集成正交編碼器(±★qì)、4路(lù)10位ADC、帶死區(qū)PWM、溫度傳感器(qì)、≠≤模拟比較器(qì)、2路(lù)UART、SSI、3個(gè)通(Ω 'tōng)用(yòng)定時(shí)器(qì),I2C、CCP等外(wài)設。主要(y≠✔γ§ào)用(yòng)于步進電(diàn)機(jī)的(de)控制(zhìπ<)。
EXP-LM3S2948:ARM公司Cortex-M3架構,TI公司LM₩£3S2948處理(lǐ)器(qì),支持最大(dà)主頻(pín)為(wèi)50 MHz的(d₹✘₩e)ARM Cortex-M3內(nèi)核,256 K×≥Ω©Byte FLASH,64 KByte SRAM,L✔§ QFP-100封裝。集成CAN控制(zhì)器(qì€ §★)、睡(shuì)眠模塊、正交編碼器(qì)、ADC、♥<模拟比較器(qì)、UART、SSI、通(tōng)用(yòng)定時♥↓®(shí)器(qì),I2C、CCP等外(wài)設。主要(y÷÷£ào)用(yòng)于CAN總線傳輸。
EXP-LM3S3749:ARM公司Cortex-M3架構,TI公司LM3S3π₽ 749處理(lǐ)器(qì)開(kāi)發闆,支持最大(dà)主 ¶頻(pín)為(wèi)50 MHz的(de)ARM Cortex-M3內(nèi)核,128≈₽ KByte FLASH,64 KByte SRAMλ©,LQFP-100封裝。集成USB HOST/DEVICE/OTG₽♦'、睡(shuì)眠模塊、正交編碼器(qì)、ADC、帶死區(qū∑ ♥λ)PWM、模拟比較器(qì)、UART、SSI、通(tōng↔✘£)用(yòng)定時(shí)器(qì),I2C、CCP、DMA控制(z±γαλhì)器(qì)等外(wài)設。芯片內(nèi)部固化(<✔≤huà)驅動庫。主要(yào)用(yòng)于USB控制(zhì)。
EXP-LM3S6952:ARM公司Cortex-M3架構,T ∏I公司LM3S6952處理(lǐ)器(qì)開(kāi)發闆,支持最大♣(dà)主頻(pín)為(wèi)50 MHz的(de)ARM Cortex-∞±↑M3內(nèi)核,256 KByte FLASH,64±'δ KByte SRAM,LQFP-100封裝。集成100MHz§♥以太網、睡(shuì)眠模塊、正交編碼器(qì)、ADC、帶死區(q"₩≤ū)PWM、模拟比較器(qì)、UART、SSI、通(tōng)♣ δ用(yòng)定時(shí)器(qì),I2C、CCP等外(wài)設。主要(yào)♣✘用(yòng)于網絡傳輸。
EXP-LM3S9B96:ARM公司Cortex-M3架構,TI公司LM3S9B≈☆90處理(lǐ)器(qì)開(kāi)發闆,支持最大(d§✘"à)主頻(pín)為(wèi)80 MHz的(de)ARM Cortex-M3內(n€♣®èi)核,256 KByte FLASH,96 KByte SRAM,LQFP-100封裝。集成1δ00MHz以太網、CAN控制(zhì)器(qì)、USB OTG、外(wài)部♦↓α總線EPI、ROM片上(shàng)StellarisWare軟件(jiàn)、¥πβ睡(shuì)眠模塊、正交編碼器(qì)、ADC、帶死區(qū)PWM、模拟比≠Ω較器(qì)、UART、SSI、通(tōng)用(yòng)定時(shí)β₹>®器(qì)、I2S、I2C、CCP、高(gāo)精度振蕩器(δ€π≤qì)、DMA等外(wài)設。
3、STM32 CPU闆技(jì)術(shù)參數(shù):
EXP-STM32F107:支持最大(dà)主頻(pínδδ↕)為(wèi)72 MHz的(de)ARM Cortex->>φ M3內(nèi)核,256 KByte FLASH,64KByte SRAλ©M,LQFP-100封裝。外(wài)設資源包括5個(gè)USART、4個(∑÷gè)16位的(de)定時(shí)器(qì)、2個(gè)基本定時(sh∑∑í)器(qì)、3個(gè)SPI、2個(gè)I2S、1✘λ↓個(gè)I2C、2個(gè)CAN、2個(gè)ADC、2個(gè)DAC、USB OTG→ FS以及Ethernet。
EXP-STM32F407:支持最大(dà)主頻(pín)為(wèiλ±¥✘)168 MHz的(de)ARM Cortex-M4內(nèi)核,10✘¶∞Ω24KByte FLASH,192+4KByte SRAM,LQFP-•π 144封裝。外(wài)設資源包括6個(gè)USART、12個≤α✔•(gè)16位的(de)定時(shí)器(qì)、2個(gè)32位定時(∏'shí)器(qì)、2個(gè)DMA控制(zhì)器(qì)(16通< ↓≥(tōng)道(dào))、3個(gè)SPI、2個(gè)全雙工(gōng)I2S、γ§☆3個(gè)I2C、2個(gè)CAN、3個(gè)12位ADC、2個(gè)α↕12位DAC、SDIO、1個(gè)FSMC接口、2個(gè)USB(• ←支持HOST/SLAVE)、1個(gè)攝像頭接口、1個(gè)硬件(jiàn)随機(jī)♠±®數(shù)生(shēng)成器(qì)以及1個(gè)10/100M以太網控λ$✘制(zhì)器(qì)等。
4、16位超低(dī)功耗單片機(jī)CPU闆技(jì)術(shù)參數(shù):
EXP-MSP430F155:由16位單片機(jī)MSP4✘™30F155為(wèi)核心器(qì)件(jiàn),配以8MHz主Ω★時(shí)鐘(zhōng)、32.768KHz低(dī)速時(shí)鐘(z®€hōng),IIC接口、SPI接口、ADC、DAC接口,JTAG& ε接口,電(diàn)壓基準電(diàn)路(lù),電(diàn)源指示,程序運行(x₽φíng)指示等功能(néng)。
EXP-MSP430 FW427:由16位單片機(jī)MSP430FW427©ε∞為(wèi)核心器(qì)件(jiàn),32.768KHz低(dī)速時(shí)鐘(zhōngσ₽),以适應低(dī)功耗的(de)應用(yòng)需求,雙JTε✔AG接口,低(dī)壓差穩壓源LDO,P1-4總線接口,電(diàn)₹'$源接口,複位開(kāi)關,程序運行(xíng)指示等功能(néngε≈)。
EXP-MSP430 F5419:由16位單片機(jī)M≥<SP430F155為(wèi)核心器(qì)件(jiàn),配以8MHz主時(€♥≤shí)鐘(zhōng)、32.768KHz低(dī)速時(shí)鐘(zhōng),雙<∑↔JTAG接口,低(dī)壓差穩壓源LDO,P1-4總線接口,電(diàn)源接口,複位開(kγ↔Ωāi)關,程序運行(xíng)指示等功能(néng)。
5、數(shù)字信号處理(lǐ)器(qì)DSP CPU闆技(jì)術(s→₩≠hù)參數(shù):
EXP-28335:由TMS320F28335為(wèi)核≠→心器(qì)件(jiàn),具有(yǒu)150MHz的(de)高(gāo)速處理(lǐ≈→★×)能(néng)力,具備32位浮 點處理(lǐ)單元,6個(gè)DMA通(tōng)道(dào)φ→σλ支持ADC、McBSP和(hé) EMIF,有(yǒu)多(duō) π達18路(lù)的(de)PWM輸出, 12位16通(tōng)道(dàβ$©o)ADC。下(xià)載口,電(diàn)源接口,複位開(kāi)關,程序運行(↑>☆xíng)指示等功能(néng)。
EXP-2812:TMS320F2812 32位定點微(wēi)控制(zhì× )單元(MCU),主頻(pín)高(gāo)達150MHz; 具備I2C、♥↑≥♠SPI、CAN、PWM等總線接口。
EXP-5509:由TI C55x架構的(de)定點低(dī)功耗音(y☆σ īn)頻(pín)專用(yòng)DSP處理(lǐ)器(qì)為(w ♥® èi)核心器(qì)件(jiàn),主頻(pín)200MHz,ROM:片內(↓ε↔nèi)32Kx16bit RAM:片內(nèi)♦Ω128Kx16bi。下(xià)載口,電(diàn)源接口,複位開(kāi)↑關,程序運行(xíng)指示等功能(néng)。
EXP-5416:由TMS320VC5416定點數(shù)字信号處理(lǐ)器÷↔(qì)(DSP)為(wèi)核心器(qì)件(jiàn),基于具有(yǒu)一(Ω↓<©yī)個(gè)程序存儲器(qì)總線和(hé)三個(gè)數(shù±')據存儲器(qì)總線的(de)高(gāo)級修改的(de)哈佛架構。下(xià)載口,電(d♣δ↑iàn)源接口,複位開(kāi)關,程序運行(xíng)指示等功能(néng)。
6、EDA系列适配器(qì)闆技(jì)術(shù)參數(shù):
EXP- EP3128/3256:配以10MHz時(shí)鐘(zhōng)。為(wè$₽×i)方便下(xià)載程序而提供的(de)立插JTAG接口。
EXP- EP3128/3256:配以10MHz時(shí)鐘(zhōng)。下(xià)載程≤↓ "序JTAG接口。電(diàn)源可(kě)以通(tōng)過總線或
POWER接口兩種方式提供+5V,通(tōng)過低(dī)壓差穩壓源($÷≥βLDO)TPS76HD325穩壓至+3.3V和(hé)+↕☆₩2.5V。
EXP- 3C05/3C10:配置芯片:EPCS4N<∏;FLASH:AM29LV160DB;SRAM: IS61LV512♦≠&∑8AL;
電(diàn)源模塊:LM1117-1.2 (1.2V),LM111✘7-2.5 (3.3V),LM1117-2.5 (2.5V);其它接口及資源:5V電(d∑βiàn)源接口、JTAG 下(xià)載口、複位鍵、擴$÷"展插槽P1、P2、P3、P4。
要(yào)求開(kāi)設的(de)實驗項目
第一(yī)章(zhāng) 基本技(jì)能(néng) | |||
第一(yī)講:常用(yòng)測量儀器(qì)的(★→±✘de)使用(yòng) |
第二講:元器(qì)件(jiàn)的(de)識别 |
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第二章(zhāng) 模拟電(diàn)子(zǐ)實驗項目 |
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第一(yī)講:晶體(tǐ)管共射極單管放(fàng)大(dà)器(qì) |
第二講:晶體(tǐ)三極管開(kāi)關特性實驗 |
第三講:場(chǎng)效應管放(fàng)大(dà)實驗 |
第四講:場(chǎng)效應管開(kāi)關實驗 |
第五講:集成運算(suàn)放(fàng)大(dà)器(qì)σ¥的(de)基本應用(yòng)(I) 模拟運算(suàn)電(diàn)路 €(lù) |
第六講:集成運算(suàn)放(fàng)大(dà)器(qì)的(de)基本應用(y♣♠'òng)(II) 信号處理(lǐ)—有★"(yǒu)源濾波器(qì) |
第七講:信号處理(lǐ)—電(diàn)壓比較器→Ω&(qì)的(de)應用(yòng) |
第八講:集成穩壓器(qì) |
第三章(zhāng) 數(shù)字電(diàn)子(π∏←•zǐ)實驗項目 |
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第一(yī)講:TTL集成邏輯門(mén)的(de)邏© ≠輯功能(néng)與參數(shù)測試 |
第二講:組合邏輯電(diàn)路(lù)實驗分(fēn)析 |
第三講:譯碼器(qì)及其應用(yòng) |
第四講:三态門(mén)及其應用(yòng) |
第五講:觸發器(qì)及其應用(yòng) |
第六講:計(jì)數(shù)器(qì)及其應用(yòng) |
第七講:移位寄存器(qì)及其應用(yòng) |
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第四章(zhāng) 單片機(jī)實驗項目 |
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第一(yī)講:單片機(jī)的(de)概述及基本理(l↔¥αǐ)論闡述 |
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第二講:單片機(jī)的(de)IO編程 |
實驗1 IO開(kāi)關量輸入實驗 |
實驗2 IO輸出驅動繼電(diàn)器(qì)(或光(guāng)電(±→diàn)隔離(lí)器(qì))實驗 |
實驗3 IO輸入/輸出—半 <β♦導體(tǐ)溫度傳感器(qì)DS18B20實驗 |
第三講:單片機(jī)的(de)中斷系統 |
實驗1 外(wài)部外(wài)部中斷----脈沖計(jì)數(✔₽®βshù)實驗 |
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第四講:單片機(jī)的(de)定時(shí)器(qì)/計(jì)數(shù)器¶★ ÷(qì) |
實驗1 計(jì)數(shù)器(qì)實驗 |
實驗2 秒(miǎo)時(shí)鐘(zhλσōng)發生(shēng)器(qì)實驗 |
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第五講:單片機(jī)的(de)串口特點和(hé)編程 |
實驗1 PC機(jī)串口通(tōng)訊實驗 |
實驗2 多(duō)機(jī)串口通(tōng)訊實驗------4®™85實驗 |
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第六講:存儲器(qì) |
實驗1 RAM存儲器(qì)讀(dú)寫實驗 |
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第七講:PWM發生(shēng)器(qì) |
實驗1 PWM發生(shēng)器(qì)(模拟)實驗 |
實驗2 PWM發生(shēng)器(qì)(內(©÷nèi)部)實驗 |
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第八講:WDT(看(kàn)門(mén)狗定時(shí)器(qì)) |
實驗1 外(wài)擴WDT(MAX813)實驗 |
實驗2 WDT(內(nèi)部)實驗 |
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第九講:SPI總線 |
實驗1 SPI(模拟)實驗-----TLC2543 →→ AD轉換實驗 |
實驗2 SPI(模拟)實驗-----TLV5616 DA轉換實驗 |
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第十講:I2C總線 |
實驗1 I2C(模拟)實驗-----AT24C01讀(dφ≠±✔ú)寫實驗 |
實驗2 I2C(內(nèi)部)實驗-----AT2↓¶σ≤4C01讀(dú)寫實驗 |
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第十一(yī)講:綜合實驗 |
實驗1 HD7279LED數(shù)碼管顯示實驗 |
實驗2 HD7279鍵盤實驗 |
實驗3 電(diàn)機(jī)轉速顯示實驗 |
第五章(zhāng) EDA設計(jì)實驗項目 |
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實驗1 簡單門(mén)電(diàn)路(lù)實驗 |
實驗2 地(dì)址譯碼電(diàn)路(lù)實驗 |
實驗3 分(fēn)頻(pín)器(qì)電≥λ"(diàn)路(lù)實驗 |
實驗4 8位鎖存器(qì)電(diàn)路(®¥₹lù)實驗 |
實驗5 4位共陰極數(shù)碼管動态顯示實驗 |
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